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輻照石墨電極材料中的缺陷

作者:jcshimo 發(fā)布時間:2024-03-12 13:48:06

輻照石墨電極材料中的缺點
在一般的反應堆工作溫度下,間充原子極端活躍,大多數位移原子回到空的點陣結點上去。石墨電極材料中殘存的輻照損害是由于從一些安穩(wěn)混合物構成了間充原子的聚集體,這些復合物的散布取決于它們在不同溫度下的安穩(wěn)性,以及它們的構成速率和使它們破壞的輻照效應。在任何溫度下,復合物的數量都到達某一飽和值,這一數值隨輻照溫度添加而下降。有些復合物作為核心而構成間充環(huán),一旦核心構成,間充環(huán)就無限成長。溫度足夠高時,空穴發(fā)生移動,構成空穴環(huán)。
用透射電子顯微鏡進行觀察時,能夠在150℃以上輻照過的石墨晶體中看到空穴和間充環(huán)。一般用暗場觀察,在暗場下挑選特殊的衍射束,以構成映像。低溫時缺點顯示為黑點或白點,可是在較高的溫度下,能夠看到輪廓清楚的環(huán),能夠切當地辨認它們的特征。
在一個抱負的晶體中,間充環(huán)均勻成核,隨著溫度的添加,它們的別離也迅速添加。不均勻成核,能由幾種辦法誘導。多晶石墨電極材料中,不均勻成核發(fā)生在晶粒邊界上,在這種情況下定量研討是困難的,可是在標準的堆石墨中,好像是溫度高于300℃時,不均勻成核占主導地位。低于這一溫度,成核是均勻的。
間充環(huán)的成長速率取決于兩個主要因素:它們的平均距離和空穴的性質與數量。距離大的間充環(huán),由于添加了復合的幾率,成長速度遠遠小于距離小的環(huán)。這個成果闡明,在均勻成核區(qū)(300℃以下)輻照損害對溫度有著激烈的依靠聯系。在300℃以上,依靠聯系則比較小??昭ㄒ匀N形式發(fā)生,單個空穴及小空穴團,表現像點相同的小缺點,很容易和間充原子復合??昭ōh(huán)發(fā)生在空穴可移動的溫度(500℃以上)之下,假如溫度太低,致使空穴不能移動,這些空穴環(huán)就不能構成??墒且话阋岩詾椋诤芨叩妮椪談┝肯?,能夠構成崩塌的空穴線,這些空穴成a方向的縮短。這些崩塌的空穴線構成的機理如下:輻照時,每個原子能夠位移許多次,雖然僅有很小一部分位移原子保存下來。一些小的空穴復合物偶爾構成并崩塌,致使妨礙了與間充原子的再結合,這樣就使得一些數量的空穴得以擇優(yōu)成長。摘錄了各種條件下發(fā)生的一些缺點類型。
石墨

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